انت هنا الان : شبكة جامعة بابل > موقع الكلية > نظام التعليم الالكتروني > مشاهدة المحاضرة
الكلية كلية التربية الاساسية
القسم قسم العلوم
المرحلة 3
أستاذ المادة هاني محمود حسين السلطاني
27/04/2019 10:00:24
حساب تركيز حاملات الشحنة في اشباه الموصلات
حساب تركيز الحاملات الاقلية او الاغلبية (( H.W ()
هو عبارة عن بلورة من النوع السالب (n) ملتصقة ببلورة من النوع الموجب (p) وتسمى منطقة الاتصال بينهما بالوصلة الثنائية و الوصلة الثنائية ( الدايود ) بمثابة صمام أو مفتاح كهربائي يعمل كبوابة تفتح باتجاه واحد وتصنع من شريحة صغيرة من السيليكون ، يتم فيها زرع شوائب ثلاثية أو خماسية التكافؤ .
الثنائي البلوري ( ثنائي الوصلة ): p-n Junction Diode
يتكون الثنائي البلوري من بلورة احادية من مادة شبه موصله يكون نصفها الاول موجبا والنصف الثاني منها سالبا وتتم هذه العملية اثناء مرحلة النمو البلوري او بعدها , يفصل بينهما حاجزا يعرف بحاجز الجهد يعمل على اعاقة مرور الالكترونات والفجوات من جهة الى اخرى مسببا بهذا تجمعها ومكونا ما يعرف بمنطقة الاستنزاف وهي طبقة رقيقة جدا تقع في وسط الوصلة وتحتوي على الالكترونات من جهة الواصلة P وعلى الفجوات في جهة الواصلة N .
تنتقل مباشرة ( انتقال تلقائي ) بعض الإلكترونات الحرة من البلورة السالبة وتملأ بعض فجوات البلورة الموجبة ( أي أن الالكترونات تنتقل من الجانب الفائض إلكترونيا إلى الجانب الناقص إلكترونيا وتستمر هذه العملية حتى يحدث توازن كهربائي ) وبالتالي يتكون على جانبي الوصلة منطقتان مختلفتان في الجهد وخاليتان من حاملات الشحنة السائدة فتعمل كعازل وعندما يصل فرق الجهد بين المنطقتين إلى قيمة معينة يقف عبور الإلكترونات من البلورة السالبة إلى البلورة الموجبة ولذلك يسمى الجهد الحاجز.
منطقة الاستنزاف او الشحنة الفراغيةDepletation Region or Space charge
حساب تركيز حاملات الشحنة في اشباه الموصلات
حساب تركيز الحاملات الاقلية او الاغلبية (( H.W ()
هو عبارة عن بلورة من النوع السالب (n) ملتصقة ببلورة من النوع الموجب (p) وتسمى منطقة الاتصال بينهما بالوصلة الثنائية و الوصلة الثنائية ( الدايود ) بمثابة صمام أو مفتاح كهربائي يعمل كبوابة تفتح باتجاه واحد وتصنع من شريحة صغيرة من السيليكون ، يتم فيها زرع شوائب ثلاثية أو خماسية التكافؤ .
الثنائي البلوري ( ثنائي الوصلة ): p-n Junction Diode
يتكون الثنائي البلوري من بلورة احادية من مادة شبه موصله يكون نصفها الاول موجبا والنصف الثاني منها سالبا وتتم هذه العملية اثناء مرحلة النمو البلوري او بعدها , يفصل بينهما حاجزا يعرف بحاجز الجهد يعمل على اعاقة مرور الالكترونات والفجوات من جهة الى اخرى مسببا بهذا تجمعها ومكونا ما يعرف بمنطقة الاستنزاف وهي طبقة رقيقة جدا تقع في وسط الوصلة وتحتوي على الالكترونات من جهة الواصلة P وعلى الفجوات في جهة الواصلة N .
تنتقل مباشرة ( انتقال تلقائي ) بعض الإلكترونات الحرة من البلورة السالبة وتملأ بعض فجوات البلورة الموجبة ( أي أن الالكترونات تنتقل من الجانب الفائض إلكترونيا إلى الجانب الناقص إلكترونيا وتستمر هذه العملية حتى يحدث توازن كهربائي ) وبالتالي يتكون على جانبي الوصلة منطقتان مختلفتان في الجهد وخاليتان من حاملات الشحنة السائدة فتعمل كعازل وعندما يصل فرق الجهد بين المنطقتين إلى قيمة معينة يقف عبور الإلكترونات من البلورة السالبة إلى البلورة الموجبة ولذلك يسمى الجهد الحاجز.
منطقة الاستنزاف او الشحنة الفراغيةDepletation Region or Space charge
المادة المعروضة اعلاه هي مدخل الى المحاضرة المرفوعة بواسطة استاذ(ة) المادة . وقد تبدو لك غير متكاملة . حيث يضع استاذ المادة في بعض الاحيان فقط الجزء الاول من المحاضرة من اجل الاطلاع على ما ستقوم بتحميله لاحقا . في نظام التعليم الالكتروني نوفر هذه الخدمة لكي نبقيك على اطلاع حول محتوى الملف الذي ستقوم بتحميله .
الرجوع الى لوحة التحكم
|